- 曹阳,钟学军,王志明,李明,张红武,魏永金,张惠芳,郭秀英
本文报道了新型有机非线性光学晶体3-乙酰氨基-4-(N,N-二甲氨基)-硝基苯(DAN)的生长,以CH_3—SO—CH_3为溶剂生长出尺寸为15×15×1.5mm~3的DAN晶体。计算了DAN分子的二阶极化率,测量了DAN分子的偶极矩、平均折射率和晶体的粉末倍频效应,讨论了溶剂极性对晶体生长的影响和乙酰氨基在晶体结构形成中的作用。
1990年03期 183-187页 [查看摘要][在线阅读][下载 232k] - 涂强,郭行安,陈信智,汤洪高,刘竞青
用提拉法生长出120mm,直径20mm的无气泡、无云层和核心的掺钛金绿宝石单晶。当用Ar~(2+)激光(5145A)泵浦激活介质时,观察到Ti~(3+)的电子振动能级~2F—~2T_2跃迁,荧光波长范围6060—9000A,峰值位于7400A,Ti~(3+)离子激发态寿命(室温)7.34μs。
1990年03期 188-192页 [查看摘要][在线阅读][下载 224k] - 宋永远,陈焕矗,孙大亮,姜全忠,张沛霖,钟维烈
研究了铽铌酸锶钡(Tb:SBN)晶体的生长条件和介电性质。晶体是从含有Tb_2O_3的高温熔体中生长的。Tb_2O_3的含量控制在0.1～3wt-％范围,Sr与Ba的比例为61:39。用X射线衍射技术,对所生长的晶体作了结构分析。实验证明,晶格常数c随Tb含量增加而缩短,而a值随Tb含量增加出现非线性增长。介电常数随Tb含量增加而增高,居里温度随Tb含量增加而降低。
1990年03期 193-199页 [查看摘要][在线阅读][下载 324k] - 赵业权,徐玉恒,王福平,李铭华,王春生
本文报道了高掺镁富锂铌酸锂晶体的生长。我们选择了最佳的工艺参数,解决了晶体生长中的生长条纹,晶体抗光拆变能力提高两个数量级以上。测量了晶体的倍频转换效率、相位匹配温度、双折射梯度、光电流和光电导。初步探讨了高渗镁富锂酸铌锂晶体的抗光折变机理。
1990年03期 200-204页 [查看摘要][在线阅读][下载 221k] - 郑红,张蕴芝,夏鸿昶,姜彦岛
本文报导了用浮区法生长Y_3Fe_5O_(12)(YIG)晶体的生长工艺。分析了用这种方法生长YIG晶体的优点。同时测量了用浮区法生长的YIG晶体的透过率和旋光度分别为68％和220°/mm。
1990年03期 205-207页 [查看摘要][在线阅读][下载 170k] - 王春生,赵超趣,徐玉恒,赵业权,邵纪群
我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999％)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10~(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进行了讨论。
1990年03期 208-211页 [查看摘要][在线阅读][下载 255k] - 王吉丰,黄锡珉
本文在反复实验的基础上对升华法生长ZnSe单晶的技术进行了改进,提出了晶体生长与成核定形状无关的新观点。经改进可将晶体的生长温度从前人的1050℃降低到950℃;生长周期从三周缩短到一周。另外,还设计了Se单质的二次提纯装置。实验结果表明:用改进的方法生长的ZnSe单晶质量是高的。
1990年03期 212-217页 [查看摘要][在线阅读][下载 377k] - 杨健美,曾广赋
本文报导了室温下钙钛矿型LnGaO_3(Ln=La、Pr、Nb)晶体的紫外、可见和红外吸收光谱的测定,对主要谱带进行了归属。从理论上计算出点阵振动数目和对称类型,并与实验结果进行了对比。晶体的色心及退火对吸收光谱的影响也做了研究。首次得到LaGaO_3和PrGaO_3晶体室温下的激发光谱和荧光光谱,观察到由于晶场环境不同引起荧光谱线窄化的现象。发现LaGaO_3晶体能够产主峰值为540nm的可见荧光,有成为色心发光晶体的可能性。
1990年03期 218-222页 [查看摘要][在线阅读][下载 186k] - 郭晓维,杜树国,杜力,沈亚军
本文介绍了一种制备硒化锌透光多晶的新工艺,即淀积-热压工艺。该工艺既保留了传统热压工艺和汽相淀积工艺的各自优点,又排除了两者固有的缺陷,是获得力学性能和光学性能兼优的硒化锌多晶的有效手段。
1990年03期 223-227页 [查看摘要][在线阅读][下载 205k] - 罗豪苏,路治平,赵天德,仲维卓
本文详细介绍了提拉生长的硅酸铋晶体(BSO)在不同生长条件下的结晶形貌。根据各晶面的形态重要性(MI值)和显露面的比表面能随温度的变化,用推广了的最小表面能原理,系统地分析了各族晶面的发育显露,以及籽晶取向、温场、转速等生长条件对结晶形貌的影响。
1990年03期 228-234页 [查看摘要][在线阅读][下载 316k] - 陈溪芳,卢子宏,陈继勤,丁祖昌
本文研究激光加热基座法生长的单晶光纤显微缺陷与工艺条件的关系。当工艺条件控制不合适时,会在晶纤中产生直径为2～10μm的微孔。在原棒直径、晶纤直径、提拉速度、原棒送速不变的条件下,当控制熔区长度L为量佳值L_0时,可以获得显微缺陷最少的晶纤。当L<L_0时,显微缺陷密度随L的增大而减小;当L>L_0时,显微缺陷密度随L的增大而增大。熔区形状的对称性对显微缺陷的密度影响不大。
1990年03期 235-239页 [查看摘要][在线阅读][下载 380k] <正> 我国著名矿物学与晶体学家、我国最早从事晶体结构分析及人工晶体研究的科学家、中国科学院上海硅酸盐研究所研究员章元龙先生,因病医治无效,不幸于一九九零年四月二十五日凌晨逝世,终年七十六岁。 章元龙先生早年从师严济慈先生,从事X射线晶体学研究,在矿物物理学领域颇多建树。早在五十年代他就在我国开拓了高压、超高压、高温条件下晶体生长研究领域,在晶体生长理论、生长设备及生长技术等方面作出了卓越的贡献。他提出了“界面分子组波度”的新概念,认为
1990年03期 239页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k] - 徐军,马笑山,沈雅芳,张新民
本文首次描述了提拉法生长LaMgAl_(11)O_(19):Nd~(3+)(LNA)晶体中的固液界面翻转现象,以及由此产主的一类新的缺陷。用界面稳定性原理分析了界面翻转过程中产生缺陷的原因;探讨了其纵横向应力条纹形成机理。从该晶体的特点出发,采取了控制临界液流状态、平界面生长优质LNA晶体的方法。
1990年03期 240-244页 [查看摘要][在线阅读][下载 518k] - 富叔青,张传平,吴光恒,黄锡珉,宣丽,景玉梅
本文研究了GaSb(111)晶片腐蚀速率随HNO_3/HF变化曲线,并在HNO_3和H_2O_2系液中、温度为3—84℃范围内作了腐蚀速率实验,其1nγ～1/T关系符合Arrhemius公式。计算了腐蚀活化能为ΔE_(HNO3)=ΔE_(E2O2)=3.2kcal/mol,这说明CaSb(111)晶片在这两种腐蚀液中腐蚀机制相同,即在HF(或HCl)过量情况下,腐蚀速率决定步骤为Sb~(-5)被氧化成Sb~(-3)。还测了相对速率差Δγ。
1990年03期 245-248页 [查看摘要][在线阅读][下载 164k] - 赵庆兰,黄依森
本文叙述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶内部缺陷的X射线投影形貌术研究。实验结果表明主要缺陷是:伯格斯矢量b=±[110]和±[110]的滑移位错和位错环;b=±[100]、±[100]和±[101]的一般位错;母液包裹、气泡或空洞;平行于{111}和{011}型晶面的生长层,以及{111}型平面状缺陷等。同时扼要讨论了它们的可能成因。
1990年03期 249-254页 [查看摘要][在线阅读][下载 1060k] - 陈本敬,王秀琼,杨巧勤,苏玉长
本文利用扫描电镜对热解化学汽相沉积法生长的金刚石薄膜组织进行了观察分析,看到了九种不同形貌的金刚石薄膜组织,讨论了这些组织的特点。
1990年03期 255-259页 [查看摘要][在线阅读][下载 1510k] - 侯印春,潘守夔
无论就基础研究还是各种应用研究,光折变晶体均是一种非常使人感兴趣的材料。光折变晶体最常见的应用包括全息存储和光学相位共轭,这些均利用晶体中的光折变效应。正在发展的实用器件主要有光信号处理和相位共轭反射镜。但是,由于光折变晶体的商品化程度很低,从而限制了它的实际应用与发展。
1990年03期 260-265页 [查看摘要][在线阅读][下载 262k] 下载本期数据